碳化硅陶瓷采用熱等靜壓燒結在性能上有何變化？

　　近年來，為進一步提高SiC陶瓷的力學性能，公司進行了SiC陶瓷熱等靜壓工藝的研究工作。主要以B和C為添加劑，采用熱等靜壓燒結工藝，在1900℃便獲得高密度SiC燒結體。更進一步，通過該工藝，在2000℃和138MPa壓力下，成功實現無添加劑SiC陶瓷的致密燒結。
　　結果表明：當SiC粉末的粒徑小于0．6μm時，即使不引入任何添加劑，通過熱等靜壓燒結，在1950℃即可使其致密化。如選用比表面積為24m2／g的SiC超細粉，采用熱等靜壓燒結工藝，在1850℃便可獲得高致密度的無添加劑SiC陶瓷。
　　另外，Al2O3是熱等靜壓燒結SiC陶瓷的有效添加劑。而C的添加對SiC陶瓷的熱等靜壓燒結致密化不起作用，過量的C甚至會抑制SiC陶瓷的燒結。